在半导体材料的研发与应用中，金属链的引入往往被视为一个双刃剑，金属链的引入可以提供额外的电子通道，降低电阻，提高材料的导电性；过量的金属链也可能成为电子散射的中心，降低载流子的迁移率，影响器件的性能。
具体而言，当金属链以纳米尺度存在时，其表面态和缺陷态对半导体的能带结构产生显著影响，在硅基半导体中引入金纳米链，可以观察到明显的肖特基势垒效应，这既可用来实现高效的电子注入，也可能成为电子传输的障碍，如何优化金属链的分布、尺寸和形状，以最大化其在半导体材料中的正面效应，成为了一个亟待解决的问题。
金属链在半导体材料中的角色并非一成不变，其效果取决于多种因素的综合作用，深入理解这一“隐秘”角色，对于推动半导体材料的发展具有重要意义。
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金属链在半导体中，既是导电的桥梁也是性能调控的关键：增强还是抑制？答案在于微妙的平衡。
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